全新第八代12000V IGBT平臺 IR****

全球功率半導體和管理方案**供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業標準的TO-247封裝，并采用IR新一代溝道柵極場截止技術，為工業及節能應用提供**性能。

　　全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值，加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路額定值，能夠減少功耗，有效增加功率密度并帶來**的耐用性。

　　IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR通過開發全新基準技術及**的IGBT硅平臺，彰顯其數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達實現***變頻，從而更有效地使用電能，并且綠化環境。”

　　新技術為電機驅動應用提供更理想的軟關斷功能，通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況，有助于提升可靠性及耐用性。該平臺的參數分布狹窄，在進行多個IGBT并聯時便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻，還可達到175°C的*高結溫。

　　潘大偉指出：“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業應用提供**的技術。該IGBT平臺憑借**的VCE(ON)、**的耐用性及**的開關功能，使工業市場所面臨的難題迎刃而解。”