富士電機開發(fā)了IGBT模塊作為電動機的可變速驅動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。
特長
實現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時可保證連續(xù)運行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動
H系列
產品型號
Ic(A)
Vce(sat)
ton
toff
Rth(j-c)
Tc=80℃
Max(V)
(us)
(us)
K/W
1MBI200HH-120L-50
200
3.1
0.2
0.3
-
1MBI300HH-120L-50
300
3.2
0.2
0.3
-
1MBI400HH-120L-50
400
3.1
0.2
0.4
-
2MBI100HH-120-50
100
3.6
0.6
0.6
-
2MBI150HH-120-50
150
3.7
0.6
0.6
-
2MBI200HH-120-50
200
3.6
0.6
0.6
-
