中國南車大功率IGBT產業化基地奠基

本報北京電 （記者楊建光 通訊員李敏）近日，中國南車集團大功率IGBT產業化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。

        該項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只。這將使中國南車成為國內**掌握IGBT芯片設計—芯片制造—模塊封裝—系統應用完整產業鏈的企業，填補了國內相關技術領域的空白。

        IGBT（新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管）是功率半導體器件第三次技術**的代表性產品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、電力電子、新能源汽車等戰略性產業領域，是節能技術和低碳經濟的主要支撐，被業界譽為功率變流裝置的 “CPU”、綠色經濟的 “核芯”，市場發展前景光明。

        目前國內IGBT的主要供應商為外國廠商。為支持我國企業技術突圍，IGBT成為國家產業政策重點支持和扶持的重大科技項目。

        大功率IGBT產業化基地建設項目，由中國南車株洲電力機車研究所具體實施，項目總投資14億元，占地160畝，預計2013年正式投產。建成后，該基地將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產值超過20億元，其產業規模和技術實力均超過國內已有水平，達到國際**水平。

來源：人民鐵道報